光 學 帶隙是 表徵材料 電子 結 構的 關 鍵 參 數，它 決定了材料的光 學性 質和能 帶 結 構。在非晶 態半 導 體的 本徵吸收 邊附近的吸收曲 線通常分 為 三個 區域： 價 帶 擴展 態到 導 帶 擴展 態的吸收 為 冪指 數 區； 價 帶 擴展 態到 導 帶尾的吸收 為指 數 區； 價 帶尾到 導 帶尾的吸收 為弱吸收 區。非晶半 導 體的 帶隙 沒有明 確的定 義，但通常定 義其光 學 帶隙的 簡 單方法是E03或E04，即吸收 係數 為103cm-1或104cm-1 時所 對 應的光子能量。物理意 義 較明 確的定 義方法是Tauc 帶隙，主要考 慮 冪指 數 區的 帶- 帶吸 數，此 時α(hv)∝c(hv-Eg)γ，C和γ 與能 帶 結 構有 關， 對於 拋物 線形能 帶 結 構γ取2，由(αhv)1/2～hv 關係曲 線求得的Eg 稱 為Tauc 帶隙。