原子配比形成的化合物
化合物半導體是一種由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，這些化合物展現出特定的半導體性質，如禁帶寬度和能帶結構。
化合物半導體與傳統的單質半導體（如硅和鍺）不同，通常具有更優越的電子運動能力和光學特性。化合物半導體在高頻性能、高溫性能方面相比第一代單質半導體有顯著提升，並且廣泛應用於無線通信、功率器件、汽車電子、航空航天等領域。常見的化合物半導體材料包括砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），這些材料因其獨特的電學和物理特性，在特定應用中表現出了巨大的優勢。