去光阻是一種在半導體製造中用於清除基底上光阻材料的工藝。有效去除光阻的方法通常包括以下步驟：
將帶有光阻的基底平放，蘸取去光阻液進行表面擦拭。
將擦拭後的基底放置在去光阻液中進行涮洗，並進行超聲浸泡，然後進行二次涮洗。
將基底放入丙酮中涮洗，然後再放置在無水乙醇溶液中涮洗。
將基底水洗後，使用氮氣吹乾或者旋乾機進行旋乾。
這種方法能夠徹底去除光阻，避免了傳統去光阻工藝中的多級去光阻液的長時間超聲浸泡，減少了基底結構的破壞，步驟簡便，耗時少，實現了快速高效的去除光阻，適合於大規模生產。
此外，光阻清洗液的選擇也非常重要，根據半導體製造的不同環節以及需要清洗的光阻種類不同，所需的光阻清洗液也有所不同。常用的光阻清洗液包括有機溶劑和鹼性水溶液。有機溶劑如氯甲烷、二氯甲烷、乙酸乙酯、異丙醇等可以快速溶解光阻，但可能對環境造成污染。鹼性水溶液如氫氧化鈉、氫氧化銨等具有良好的去光阻能力，且對環境無污染，但具有較強的腐蝕性。
在半導體製造中，光阻清洗液的套用包括光阻去膠、光刻膠去除以及清洗金屬殘留物等環節。通過合理選擇不同種類的光阻清洗液，可以實現對不同類型的光阻進行清洗，保證後續工藝步驟的順利進行。