吸收峰的形成原因主要取決於分子內部電子的躍遷和振動。以下是詳細介紹：
在紫外可見吸收光譜中，吸收峰主要由價電子的躍遷產生，這些躍遷包括σ電子、π電子以及未成鍵的孤對n電子從基態向激發態的躍遷。主要的躍遷方式有σ→σ*、n→σ*、π→π*，其中，π→π*躍遷通常發生在具有不飽和鍵的基團，如C=C或C≡C，這類躍遷一般位於近紫外區，是強吸收帶的一個主要來源。
在紅外光譜中，吸收峰的形成與分子振動過程中偶極矩的變化有關，只有那些導致瞬間偶極矩變化的振動（即紅外活性振動）才能產生吸收峰，吸收峰的強度取決於振動過程中偶極矩變化的大小、振動能級的躍遷機率以及振動形式。
此外，吸收峰的位置也會受到分子內部結構因素的影響，如誘導效應、共軛效應、氫鍵效應等。這些因素影響分子的振動頻率和電子能級，從而導致吸收峰位置的移動。