拉晶是一種半導體製造技術，主要用於生產單晶矽，這是製造高性能積體電路和微處理器的主要材料。拉晶的過程涉及將多晶矽棒加熱至熔化狀態，然後在高溫下通過向上拉伸來生長晶體。以下是該技術的具體操作步驟：
在單晶爐中，首先將晶種置於爐內。
啟動加熱系統，使爐內的熔融晶體達到特定溫度。
通過拉晶機構逐漸拉長晶種，形成單晶棒。
在這個過程中，需要精確控制溫度和拉晶速度，以確保晶體的質量和純度。
拉晶技術的原理是利用矽的特性，在高溫下使其溶解成液態，然後通過將高溫區的液體轉移到低溫區，促使其結晶成單晶矽。這種技術可以使矽晶體具有梯度結構，在拉伸過程中，晶格間隙縮小，導致晶體兩端呈現出高純度、高質量的結晶形態。拉晶在半導體製造中的套用主要體現在製造太陽能電池、LED燈晶片和半導體器件等領域。雖然拉晶的製造成本較低，但與單晶矽相比，它通常具有更多的晶體缺陷和不均勻性。