液封直拉法（liquid-encapsulated Czochralski method），簡稱LEC法，是一種製備化合物半導體單晶的方法，主要用於生長熔體組分易揮發的化合物材料。這種方法的特點是在晶體生長過程中，熔體表面有一層覆蓋劑，晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來。覆蓋劑通常是一種密度小於熔體密度、熔點低於晶體熔點、在熔點附近蒸氣壓低、透明、純度高的液體，對熔體、坩堝、氣氛呈化學惰性，不起反應也不互溶。
液封直拉法的優點包括：可以生長各種晶向的大直徑、長尺寸、高離解壓的化合物晶體材料，適合規模生產；可以方便地重複開啟密封直拉單晶爐，簡化了裝料取晶工序；液封劑包封熔體，可抑制熔體組分揮發和防止矽沾污，從而保證熔體純度和熔體組分的可控性、穩定性。
液封直拉技術在薄膜製造中的套用存在一定的局限性。例如，薄膜的厚度相對較薄，封閉劑注入後容易發生滲漏現象，導致製品質量下降。薄膜的成型需要非常高的精度和均勻性，而液封直拉技術的成型精度受到許多外部因素的影響。
總的來說，液封直拉法是一種重要的晶體生長技術，廣泛套用於半導體材料的製備中。