磁阻效應是什麼

磁阻效應是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。

這種現象是由於材料中的載流子在磁場中運動時受到洛倫茲力的作用，導致載流子的漂移路徑增加或沿外加電場方向運動的載流子數減少，從而引起電阻的增加。磁阻效應在材料科學和電子工程中有廣泛套用，如磁感測器、磁記錄和磁性隨機存取存儲器等。並且，磁阻效應有幾種不同的形式，如普通磁阻效應、巨磁阻效應(GMR)和超巨磁阻效應(CMR)。其中，GMR是一種特殊的磁阻效應，發生在層狀磁性薄膜結構中，其電阻在磁場存在時會有顯著變化。