突觸後電位(postsynaptic potential，PSP)是神經衝動在突觸後神經元引起的電位變化。
這些電位變化可以分爲興奮性和抑制性兩種類型，興奮性突觸後電位(excitatory postsynaptic potential，EPSP)導致突觸後膜的去極化，即局部電位的負性變化，而抑制性突觸後電位(inhibitory postsynaptic potential，IPSP)則引起突觸後膜的超極化，即局部電位的正性變化。這兩種類型的突觸後電位都涉及到神經遞質與突觸後膜上受體的結合，從而改變膜對特定離子（如鈉離子Na+、氯離子Cl-）的通透性。
此外，突觸後電位的幅度和持續時間相對動作電位來說較小，且持續時間更長。