存儲技術
3D NAND是一種存儲技術，它通過將存儲單元垂直堆疊在一起，而不是像傳統的2D或平面NAND那樣平鋪，從而克服了2D NAND在容量、耐久度、功耗和性能方面的限制。
這種技術使得每個存儲單元的單位面積可以大幅下降，從而大幅提升閃存的存儲容量，3D NAND的這種立體結構類似於將存儲單元堆疊成多層，類似於蓋高樓大廈，而不是平房。這種技術可以支持更高的存儲容量，更快的讀寫速度，更好的耐用性，以及更低的每千兆字節成本。理論上，3D NAND可以無限堆疊，但由於技術和材料限制，目前大多數3D NAND是64層的。