低功耗場效應管
40N120是一款低功耗場效應管，具有以下特性：
引出3個引腳，採用TO-220封裝。
脈衝集電極電流（ICM）為160A，G-E漏電流（IGES）為250nA。
工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。
柵極-發射極電壓（VGES）為±25V。
電性參數包括：
集電極電流（IC）為40A，集電極-發射極電壓（VCES）為1200V，G-E閾值電壓（VGE）為5.5V。
場效應管是電壓控制器件，通過VGS（柵源電壓）控制ID（漏電流）。
控制輸入端電流極小，因此輸入電阻很大。
採用多數載流子導電，溫度穩定性較好。
抗輻射能力強，沒有雜亂的運動電子擴散引起的散粒噪聲，因此噪聲低。
適用於源極接地的情況，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V，其他電壓見說明書）即可導通。
此外，40N120可以用於設計開關電源或電機驅動電路，但需要考慮其導通電阻、最大電壓、最大電流等因素。在開關電源中，導通後會有一個導通電阻，當電流流動時，兩端會有電壓，這會導致導通損耗。因此，可以通過降低開關損耗來提高效率。
需要注意的是，40N120並不是IGBT管，而是場效應管的一種。IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）是由BJT（雙極結型晶體三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全受控型電壓驅動功率半導體器件。