原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種先進的薄膜沉積技術，其基本原理和步驟如下：
基本原理：
ALD通過在基底表面交替暴露不同的前驅體，實現薄膜的原子層級別生長。這一過程涉及化學吸附和自限制的表面化學反應，確保每個循環僅沉積單原子層厚度的材料。
生長過程：
脈衝前驅體：首先，將第一種前驅體脈衝式地暴露於基片表面，進行化學吸附。
吹掃：隨後，使用惰性氣體（如氮氣）吹走未反應的前驅體和可能的副產物。
第二種前驅體脈衝：接著，脈衝第二種前驅體，在已吸附的前驅體上發生化學反應，形成所需薄膜材料。
再次吹掃：最後，再次使用惰性氣體吹掃剩餘的前驅體和反應副產物。
特點：
自限性反應：ALD的化學反應具有自限性，意味著每個循環僅生長一個原子層，確保了薄膜的均勻性和一致性。
保形性：ALD能夠在複雜形狀和孔洞內部均勻地沉積薄膜，保持了基底表面的原始形態。
溫度敏感性：ALD的反應溫度視窗較窄，溫度的變化會影響沉積速率和薄膜質量。
套用：
ALD技術廣泛套用於半導體、微電子、納米技術等領域，用於製造高性能的電子設備和材料。
通過上述步驟，ALD能夠實現精確控制薄膜的厚度和組成，同時保持了良好的保形性和厚度均勻性。這些特性使得ALD成為了一種在納米尺度上精確控制材料性質的關鍵技術。