CMOS反相器具有多種特性，以下是詳細介紹：
低功耗。CMOS反相器採用互補的PMOS和NMOS電晶體，只在輸入信號變化時才會有短暫的功耗，靜態狀態下幾乎沒有功耗，因此在大規模積體電路中使用多個CMOS反相器可以降低整體功耗。
高集成度。CMOS反相器結構簡單，占用的面積較小，可以高度集成於晶片上，通過布局設計和工藝最佳化，可以實現更高的集成度和更密集的器件排列，提高系統性能並節省空間。
抗干擾能力強。CMOS反相器採用互補結構，輸出對輸入信號的回響是通過兩個互補電晶體共同完成的，這種結構使得CMOS反相器具有良好的抗干擾能力，能夠有效地抵禦外界噪聲和干擾信號，提供穩定可靠的輸出結果。
寬輸入電壓範圍。CMOS反相器的輸入引腳電壓範圍廣泛，可以適應不同電平標準和信號源的要求，支持多種輸入電壓標準，如TTL、CMOS和LVCMOS等，具有較高的兼容性。
輸出高電平和低電平分別為VDD和GND，電壓擺幅等於電源電壓。因此噪聲容限大，無無比邏輯，功能不受電晶體相對尺寸影響。
具有低輸出阻抗，輸入電阻極高，理論上具有無窮大扇出，單個反相器可以驅動無窮多個門，增加扇出會增加傳播延時，動態特性會變差，但不會影響穩態特性。
在穩態工作情況下，電源線和地線之間沒有直接通路，沒有電流存在，意味著理論上沒有靜態功耗。