化學氣相沉積（CVD）是一種材料製備技術，其基本原理是在高溫下使氣態原材料發生化學反應，從而在基體表面形成固態薄膜或塗層，這些薄膜或塗層具有特定的物理和化學性質，通常與基體的附著力強，且厚度可控制。CVD技術廣泛套用於半導體、光學、電子和材料科學等領域。CVD系統通常包括氣態前驅體、反應室、氣體處理裝置和抽真空裝置。CVD過程的關鍵因素包括：
高溫環境。為了促進化學反應，通常需要較高的溫度。
氣態前驅體。在反應室中發生化學反應形成固態材料。
基體表面。反應物在此形成薄膜或塗層。
CVD技術的主要類型包括常壓CVD（APCVD）、低壓CVD（LPCVD）、光誘導CVD（PICVD）、等離子增強CVD（PECVD）和金屬有機化合物氣相澱積（MOCVD），不同類型的CVD方法適用於不同的套用和條件。