化學氣相沉積（CVD）是一種材料科學和納米技術中常用的技術，涉及在高溫下使氣態原材料發生化學反應，從而在基體表面形成固態沉積物或薄膜的過程。這種方法廣泛套用於製備各種材料，包括金屬、合金、陶瓷和化合物等。CVD技術的特點包括：
能夠在基體上形成與基體緊密附著的薄膜，且薄膜的形成對基體的幾何形狀依賴性較小。
通過改變氣體成分或沉積條件（如溫度、氣壓等），可以控制薄膜的化學或物理性質，並且易於控制薄膜的厚度。
適用於在常壓或低真空環境下進行，能夠均勻鍍覆形狀複雜的表面或工件的深孔和細孔。
能夠製備高純度、緻密、殘餘應力小、結晶良好的薄膜鍍層。
採用等離子或雷射輔助技術可以在降低沉積溫度的同時，提高反應速率和沉積層的質量。
CVD系統通常包括原料氣體和載氣的供給系統、反應爐、廢氣處理系統以及控制系統。在CVD過程中，高純度的氣體（通常是載氣體）通過氣體精製裝置進行淨化，並送入反應爐。在反應爐中，氣體在高溫下發生化學反應，生成固態沉積物。CVD技術有多種變種，如常壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHVCVD)、雷射CVD(LCVD)、金屬有機物CVD(MOCVD)和電漿增強CVD(PECVD)等，不同類型的CVD技術適用於不同的套用場景和材料製備需求。