DDR（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙數據率同步動態隨機存儲器）是在SDRAM（同步動態隨機存儲器）的基礎上發展而來的。DDR技術允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿都進行數據傳輸，因此其數據傳輸速率是標準SDRAM的兩倍。DDR SDRAM的關鍵技術包括：
同步電路。DDR SDRAM與CPU保持同步，使用延遲鎖定迴路(DLL)技術來精確定位數據，確保數據輸入輸出的精確同步。
雙倍速率傳輸。在一個時鐘周期內，DDR SDRAM能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，從而實現了雙倍速率。
讀寫操作。在讀取操作時，DQS（數據選取脈衝）信號的邊沿在時序上與DQ（數據）信號的邊沿對齊。在寫入操作時，DQS信號的邊沿在時序上與DQ信號的中心處對齊。
信號與電壓。DDR記憶體採用支持2.5V電壓的SSTL2標準，而SDRAM使用3.3V電壓的LVTTL標準。DDR記憶體的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，等效頻率是工作頻率的兩倍。
物理特性。儘管DDR記憶體與SDRAM在體積上差別不大，具有同樣的尺寸和針腳距離，但DDR記憶體是184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。
通過這些關鍵技術，DDR SDRAM在保持了與SDRAM相似的物理特性的同時，實現了更高的數據傳輸速率和能效。