絕緣柵雙極型電晶體
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），中文名為絕緣柵雙極型電晶體，是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT綜合了電力電晶體（GTR）和電力場效應電晶體（MOSFET）的優點，具有高輸入阻抗、低導通壓降、驅動功率小、飽和壓降低等特點。這種器件在直流電壓為600V及以上的變流系統中套用廣泛，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模組通常與續流二極體晶片（FWD）封裝在一起，形成模組化產品，方便安裝和維護，散熱穩定，被廣泛套用於變頻器、UPS不間斷電源等設備中。由於其節能、環保的特性，IGBT在軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的套用越來越廣泛。