JFET（結型場效應電晶體）的工作原理主要基於半導體物理的基本概念，特別是PN結的特性。以N溝道JFET為例，其工作原理可以概括為以下幾點：
柵極與源極之間的電壓控制。在N溝道JFET中，必須在柵極和源極之間施加一個負電壓（VGS<0），以使栅极与沟道之间的PN结反偏。这样，沟道中的电子（多子）可以从源极流向漏极，形成漏极电流（iD）。这个电流的大小取决于VDS（漏源电压）的大小和沟道的电阻。
耗盡層的形成與控制。當在柵極和源極之間施加負電壓時，PN結變寬，導致耗盡層變寬。這會使溝道變窄，從而增加溝道電阻並減小漏極電流。當VGS足夠負時，溝道可以被耗盡層完全覆蓋，導致溝道被夾斷，此時漏極電流接近於零。
漏源電壓的影響。漏源電壓VDS對溝道的影響是不均勻的，因為靠近漏端的耗盡層比源端寬，導致溝道呈楔形。當VDS增加，預夾斷點下移，夾斷區向源極方向延伸，導致大部分電流通過夾斷區。因此，ID（漏極電流）基本不隨VDS的進一步增大而變化。
JFET作為一種電壓控制的電流器件，其優點包括低噪聲、高輸入阻抗、寬動態範圍等。這些特性使得JFET在模擬電路、放大器和開關套用中非常有用。