MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）是一種常用的半導體器件，其工作原理基於場效應，通過控制柵極電壓來調節半導體中載流子的濃度，從而控制電流的流動。MOS管具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度等特點，在數字電路和模擬電路中廣泛套用。
MOS管的基本結構包括源極(S)、漏極(D)和柵極(G)，其中柵極與半導體基底之間通過一層氧化物絕緣層隔離。MOS管的工作原理可以分為三個階段：
截止區：在截止區，柵極電壓較低，無法在半導體中形成足夠的電場，導致載流子濃度很低，電路中的電流非常小。
線性區：線上性區，隨著柵極電壓的逐漸增加，電場強度也隨之增加，半導體中的載流子濃度開始增加，電路中的電流也隨之增加。
飽和區：在飽和區，柵極電壓達到一定值後，電場強度飽和，半導體中的載流子濃度和電路中的電流不再隨柵極電壓的增加而增加。
MOS管分為增強型和耗盡型兩種，增強型MOS管在無電壓時處於截止狀態，而耗盡型MOS管在無電壓時已經處於導通狀態。此外，MOS管還可以根據溝道類型分為N溝和P溝兩種。
綜上所述，MOS管通過其獨特的結構和工作原理，在電子設備中發揮著開關、放大器、電源管理等多種重要作用。