MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）的公式包括：
轉移方程式。這是描述MOSFET漏極電流（ID）與柵源電壓（VGS）之間關係的方程式。對於增強型MOSFET，轉移方程式可以表示為ID=K(VGS-VT)2，其中K是一個常數，VT是閾值電壓。
輸出電阻（RDS(ON)）的計算。RDS(ON)是MOSFET在導通狀態下，其漏極和源極之間的導通電阻。可以通過公式RDS(ON)=VDS/ID計算得出，其中VDS是漏極和源極之間的電壓，ID是漏極電流。
開啟時間和導通延遲時間。開啟時間（Ton）是指從柵源電壓達到開啟閾值到漏極電流開始流動的時間，而導通延遲時間（Td(on)）是指從漏極電流開始流動到達到穩定值的時間。
柵源電荷（Q）。這是描述MOSFET在開啟和關閉過程中，柵極和源極之間電荷變化的方程式，可以通過公式Q=CU2F計算得出，其中C是電容值，U是電壓。
柵極電荷（Qg）。這是描述MOSFET在開啟和關閉過程中，柵極電荷變化的方程式，可以通過公式Qg=CUd計算得出，其中C是電容值，Ud是柵極電壓。
柵極閾值電壓（VT）。這是描述MOSFET開啟和關閉過程中，柵極電壓變化的方程式。
這些公式是理解和設計MOSFET的關鍵。