OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change)，即光束誘導電阻變化，是一種用於半導體器件和積體電路失效分析的有效技術。
OBIRCH技術利用高度聚焦的雷射掃描晶片表面（加電壓的情況下），在聚焦區域內造成局部溫度上升，從而引起電阻變化，最終導致外加電壓或電流的變化。這種方法可以檢測並定位短路、漏電等故障點，適用於矽片和III-V族器件的正面和背面分析。
OBIRCH技術的原理基於半導體的熱效應，它通過背面光發射顯微鏡可以在大範圍內迅速準確地定位積體電路中的微小失效點。這種方法具有多種優點，包括高速（能夠通過一次成像檢查複雜積體電路的發光）、通用性（可以與測試儀器相連）、無污染（不需要薄膜）、簡單（與探針無相互作用，不會人為產生問題）以及高靈敏度（漏電流可小至微安量級）。
OBIRCH能快速準確地檢測IC中元件的短路、布線和通孔互聯中的空洞、金屬中的矽沉積等缺陷。其工作原理是利用雷射束在恆定電壓下的器件表面進行掃描，通過觀察雷射束掃描過程中引起的溫度變化和電阻變化，定位缺陷位置。OBIRCH的測試精度可以達到皮安(nA)級別。
OBIRCH常用於晶片內部電阻異常（高阻抗/低阻抗）及電路漏電路徑的分析，能有效檢測電路中的缺陷，如金屬互連線條中的空洞、通孔下的空洞，以及通孔底部的高阻區域等。