PHEMT（假晶態高電子遷移率電晶體）的工作原理基於異質結場效應電晶體（HEMT）的技術。以下是PHEMT原理的詳細解釋：
異質結場效應電晶體（HEMT）：
HEMT利用不同成分的半導體和帶隙之間的異質結來實現出色的高頻性能。
載流子（電子/空穴）從源極到漏極的流動由施加到柵極的電場控制，這種控制方式是場效應電晶體（FET）的典型特徵。
PHEMT的特點：
PHEMT通過使用假晶技術，即在半導體材料中引入一種或多種材料的納米級混合，來進一步提高電子遷移率。
這種技術允許在保持材料晶格完整性的同時，引入不同的材料，從而最佳化電子的流動和速度。
工作原理：
當柵極電壓變化時，它會改變柵結空間電荷層的寬度，從而控制源漏之間的電流。
在PHEMT中，由於異質結的存在，電子從較寬頻隙的材料被注入到較窄帶隙的材料中，這種注入提高了電子遷移率，進而提高了電晶體的性能。
生長技術：
外延生長技術，如分子束外延（MBE），是製造PHEMT的關鍵步驟。這種技術允許在精確控制原子層沉積的同時，保持晶體結構的完整性。
MBE通過精確控制蒸發或升華的元素（如Al、Ga和As）的蒸發速率，在非常低的壓力下（10-5托）沉積到加熱的GaAs基底上，形成高質量的外延層。
綜上所述，PHEMT通過結合異質結和假晶技術，實現了在高頻套用中卓越的性能表現，特別是在射頻和微波領域。