場效應晶體管
場效應管，全稱爲場效應晶體管（Field Effect Transistor，縮寫爲FET），是一種半導體器件，它利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路的電流。場效應管的特點包括高輸入電阻（10^7～10^15Ω）、低噪聲、低功耗、大動態範圍、易於集成、沒有二次擊穿現象以及寬安全工作區域。場效應管可以分爲結型場效應管（Junction FET，JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（Metal-Oxide Semiconductor FET，MOS-FET）兩種主要類型。由於場效應管僅依賴半導體中的多數載流子導電，因此它也被稱爲單極型晶體管。與傳統的晶體管不同，晶體管通過“注射”和“收穫”過程控制電流，而場效應管則是通過控制半導體通道的電壓來調整電流。場效應管廣泛應用於信號轉換、功率放大、數字電路的開關和模擬調節等多種場合，尤其在需要接收和放大中等幅值電信號的電路中，場效應管提供了更高的性價比，同時減少了電路的功耗和電壓噪聲。