肖特基勢壘(Schottky barrier)是金屬和半導體接觸時形成的一種界面，具有整流特性。
這種界面通常具有較大的勢壘高度，當電子從N型半導體進入金屬時，會在接觸面形成勢壘，而從金屬返回半導體時，由於金屬的功函數大於半導體的功函數，電子會受到較小的勢壘阻擋。在正向偏壓下，半導體側的費米能級升高，使得電子更容易越過勢壘進入金屬；而在負向偏壓下，勢壘增高，阻礙電子從金屬返回半導體。
肖特基勢壘與PN結不同，它具有較低的接面電壓，並且在金屬端具有很薄的耗盡層寬度。這種特性使得肖特基勢壘在某些應用中更爲優越，例如在MOSFET的源極和漏極使用肖特基勢壘可以降低導通電阻。