PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種利用電漿輔助的化學氣相沉積技術，通常用於在較低溫度下沉積薄膜。
在PECVD過程中，氣體在反應室中被電離形成電漿，這些電漿中的高能電子和離子在基板表面引發化學反應，形成固態薄膜。這種方法可以在相對較低的溫度下工作，適合對溫度敏感的材料或那些不能承受高溫處理的材料（如某些塑膠）。它廣泛套用於半導體工業、太陽能電池、光電器件和MEMS等領域。
通過調整反應氣體的種類和比例、射頻功率、氣體流速和壓力等參數，可以控制薄膜的特性，如折射率、應力和硬度等。