小注入

小注入，也稱為低水平注入，是形成PN結的一種工作條件。在N型半導體中，當注入半導體材料的非平衡電子（通過光照注入、電注入等方法引入的兩種載流子——電子、空穴總是成對出現）的濃度小於平衡時導帶中電子的濃度時，我們稱這種方法為小注入。對於P型半導體，則需要比較非平衡空穴與平衡時的空穴的濃度。在小注入的情況下，多數載流子的複合率為線性。大注入是指注入某區邊界附近的 非平衡少子 濃度遠大於該區的 平衡多子 濃度。相對的，小注入是指注入某區邊界附近的 非平衡少子 濃度遠小於該區的 平衡多子 濃度。