柴氏拉晶法（Czochralski method），簡稱CZ法，是一種用於生長各種材料單晶的晶體生長方法。該方法由波蘭科學家揚·柴可拉斯基（Jan Czochralski）於1918年發明，並在1964年首次套用於藍寶石單晶的生長。
柴氏拉晶法的主要步驟包括：首先將原料加熱至熔點，形成熔融狀態的熔湯；然後將晶種（籽晶）浸入熔湯中，晶種與熔湯的固液界面因溫度差而形成過冷；熔湯在晶種表面開始凝固並生長，形成與晶種相同晶體結構的單晶；晶種以極緩慢的速度向上拉升，並伴隨一定的轉速旋轉，隨著晶種的向上拉升，熔湯逐漸凝固於晶種的液固界面上，進而形成一軸對稱的單晶晶錠。
柴氏拉晶法適用於熔點較低的材料，是目前半導體產業中最常用的單晶製造方法，用於生產矽晶圓、砷化鎵晶圓等。這種方法在生長大直徑晶體時，可以方便地觀察晶體的生長情況，降低晶體的應力，並有助於生長出較高質量的晶體。然而，這種方法在生長大直徑晶體時，也容易因機械擾動產生晶體缺陷。