第三代半導體是一種相對於前兩代的半導體材料，具有更寬的禁帶寬度和更優越的電學及熱學性質，在高溫、高壓、高功率和高頻領域有廣泛應用。
第三代半導體材料的代表包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石，這些材料相比於第一代和第二代的半導體材料，如硅(Si)和鍺(Ge)或砷化鎵(GaAs)和磷化鎵(GaP)，具有更高的禁帶寬度、擊穿電壓、電導率和熱導率。這些特性使第三代半導體材料適合於製作在惡劣環境下工作的電子器件，例如高溫、高頻、抗輻射及大功率的應用場景。它們在無線通信、汽車電子、電網、高鐵、衛星通信、軍工雷達、航空航天等多箇領域具有顯著的優勢和應用潛力。