直拉法（Czochralski法，簡稱CZ法）是一種用於製備單晶矽的晶體生長技術。該技術的原理如下：
將高純度的多晶矽原料放入高純石英坩堝中，並在單晶爐內加熱至熔化狀態。
將一根固定在籽晶軸上的籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體融合後，慢慢向上拉升籽晶，同時熔體在籽晶末端逐漸結晶形成單晶。
在生長過程中，通過控制溫度場、籽晶的晶向、坩堝和單晶的旋轉及提升速率等參數，以及保護氣體的種類、流向和流速，來影響單晶的生長和質量。
直拉法具有設備和工藝簡單、易於自動控制、生產效率高、適合製備大直徑單晶等特點，同時也能有效控制單晶中雜質的濃度。