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直接能隙是什麼

直接帶隙半導體材料中的一箇重要概念,它描述了導帶和價帶之間的能量差。在直接帶隙半導體材料中,導帶的最低能量值(導帶底)和價帶的最高能量值(滿帶最大值)在動量空間中位於同一位置。這意味着電子在吸收一定能量後,可以從價帶躍遷到導帶,並且能夠直接從導帶回到價帶,釋放的能量主要以光的形式存在。這種材料通常具有高吸收率和高放電效率,適合用於光電子設備,如LED激光器。直接帶隙材料的光吸收和發射主要通過輻射躍遷實現,而非輻射躍遷如缺陷和聲子促進的過程則相對較少。