矽片的清洗流程通常包括以下幾個主要步驟：
機械清洗。這是最常見的清洗方法之一，包括將矽片放入超音波清洗機中，利用超音波振動來去除污垢。清洗劑的選擇應根據矽片的類型確定，清洗時間通常為幾分鐘到半小時，具體時間取決於污染程度。清洗後，使用去離子水清洗矽片，並用氮氣吹乾。需要注意的是，機械清洗過程中不能使用金屬刷或粗糙布，以免劃傷矽片表面。
化學清洗。適用於去除矽片表面的金屬離子、有機物等污染。首先準備比例合適的清洗液（例如HF/HNO3、HF/H2SO4、NH4OH/H2O2等），將矽片放入清洗液中，控制清洗時間在幾分鐘到半小時之間。完成後，使用去離子水清洗矽片，並用氮氣吹乾。化學清洗過程中需戴防護手套、眼鏡、口罩等。
射頻氧化清洗。適用於微電子級別的矽片。將矽片放入射頻氧化清洗機中，通過產生電束離子和電子形成電漿，從而去除污染物和背後的氧化物。清洗後，同樣使用去離子水清洗矽片，並用氮氣吹乾。
浸泡法。將矽片放入去離子水或加有清洗劑的混合液中浸泡，根據污染種類和程度選擇不同的浸泡時間和溫度。之後用去離子水清洗並吹乾。
噴淋法。使用去離子水或含清洗劑的水清洗矽片表面，通過噴淋器噴灑液體並調整距離和角度。完成後用氮氣吹乾。
每種方法都有其適用場景和優缺點，具體選擇應根據矽片的材質、污染程度以及後續使用要求來決定。