矽片清洗是半導體製造過程中的一個關鍵步驟，旨在去除矽片表面的各種污染物，以確保器件的性能和可靠性。污染物的類型主要包括有機物、無機物、金屬離子等，這些污染物可能以物理吸附或化學形式存在於矽片表面。矽片清洗的方法主要有物理清洗和化學清洗兩種。
物理清洗主要依靠超音波、高溫等方法去除污染物，而化學清洗則使用特定的化學溶液來溶解或去除污染物。具體的清洗流程可能包括：
初步清洗。使用去離子水去除表面的大顆粒雜質。
預處理。用去離子水和稀酸混合溶液去除化學反應雜質和氧化物。
主清洗。用強酸溶液和去離子水混合溶液去除有機物和無機污染物。
多次用去離子水沖洗矽片，去除清洗劑殘留。
乾燥處理，如用氮氣吹乾或在純淨環境下自然乾燥。
此外，還有一些特殊的清洗方法，如氣相清洗法、離子清洗法等，這些方法可以提高清洗效率和矽片的質量。在清洗過程中，還需要注意安全措施，如使用手套和面罩等，以防止化學品對人體的傷害。