第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），這些材料以其寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等特性，適用於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。它們在光電子和微電子領域具有重要的應用價值，並在5G基站、新能源汽車、快充、固態光源等領域有廣泛的應用前景。第三代半導體材料相較於前兩代材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優勢，正在成爲全球半導體產業新的戰略高地。
第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），這些材料以其寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等特性，適用於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。它們在光電子和微電子領域具有重要的應用價值，並在5G基站、新能源汽車、快充、固態光源等領域有廣泛的應用前景。第三代半導體材料相較於前兩代材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優勢，正在成爲全球半導體產業新的戰略高地。