薄膜表徵方法主要包括以下幾個方面：
薄膜厚度的測量。可以通過光學測量方法實現，例如，利用光的乾涉現象來測量薄膜的厚度。此外，還有機械測量方法，如表面粗糙度儀法，這種方法使用一個觸針滑過薄膜表面，記錄表面的輪廓變化，從而確定薄膜的厚度。
薄膜結構的表徵。可以通過掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）、X射線衍射（XRD）、低能電子衍射（LEED）和反射式高能電子衍射（RHEED）等技術來觀察和分析薄膜的微觀結構。
薄膜成分的分析。包括原子內的電子激發及相應的能量過程、X射線能量色散譜（EDS）、俄歇電子能譜（AES）、X射線光電子能譜（XPS）、盧瑟福背散射技術（RBS）和二次離子質譜（SIMS）等方法，這些技術可以分析薄膜的化學成分和元素分布。
以上這些方法各有特點，適用於不同的薄膜類型和分析需求。在實際套用中，往往需要根據薄膜的材料、結構和預期用途來選擇合適的表徵方法。