量子阱厚度

量子阱的厚度可以根據不同的套用和研究需求而變化。例如，在InGaN/GaN體系中，最優的阱層厚度約為4.0nm，這樣可以保證雷射器的閾值電流較低且輸出功率較高。而在另一種情況下，量子阱層的厚度可能在1-1.5nm之間。這些數值可能會根據具體的材料組分、生長條件和器件設計而有所不同。