氮化鋁(AIN)是一種具有共價鍵和六方纖鋅礦結構的化合物，屬於AI-N二元系中唯一穩定的相。它以其高導熱性、卓越的電絕緣性能、低的介電常數和介電損耗而聞名。這些特性使AIN在電子工業中具有廣泛的套用，例如作為陶瓷基板材料，它在高頻、微波、射頻等領域表現出色。
AIN陶瓷基板因其高熱導率、無毒性、良好的耐腐蝕性和耐高溫性能，以及出色的電絕緣性，在高密度、大功率和高速積體電路的散熱和封裝套用中發揮著不可替代的作用。此外，AIN與矽相匹配的熱膨脹係數進一步鞏固了其在半導體行業中的套用地位。
近年來，隨著IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）在光伏、儲能等領域的廣泛套用，對IGBT封裝材料的散熱性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷基板因其高熱導率和與矽匹配的熱膨脹係數，成為IGBT封裝的關鍵材料。此外，AIN也被套用於熱交換器、壓電陶瓷及薄膜、導熱填料等多個領域。