BCD製程是一種單片集成工藝技術，它能夠在同一晶片上製作雙極管（bipolar）、CMOS和DMOS器件。這種技術綜合了雙極器件的高跨導、強負載驅動能力和CMOS器件的集成度高、低功耗優點，使得它們互相取長補短，發揮各自的優勢。BCD工藝的典型器件包括低壓CMOS管、高壓MOS管、各種擊穿電壓的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、橫向PNP管、肖特基二極體、阱電阻、多晶電阻、金屬電阻等。由於集成了多種器件，這為電路設計者提供了極大的靈活性，可以根據套用需求選擇最合適的器件，從而提高整個電路的性能。
BCD工藝的發展方向主要有三個：高壓、高功率和高密度。目前市場上主流的BCD工藝為180nm，而在售的最小工藝技術為90nm，業界最頂尖的工藝技術為60nm。中芯國際在BCD工藝上突破了55nm技術，這被認為是領先全球的成就。
從工藝能力來看，台積電、聯電和東部高科是BCD工藝的領跑者。台積電基本涵蓋0.5um-40nm各製程節點的工藝，而東部高科在高壓工藝較為領先。國內的中芯國際和華虹等公司的工藝水平也有明顯提升，能夠提供多種BCD工藝，滿足國內IC設計公司的通用型代工需求。
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