DLTS（Deep Level Transient Spectroscopy）的原理是利用半導體結的電容瞬變來檢測深層能級的載流子發射過程。這是一種非破壞性技術，可以用於檢測半導體器件中的特定晶體缺陷，並表徵這些缺陷的電子特性，例如能帶隙內的能級及其濃度。
在DLTS技術中，首先需要將半導體結反向偏置，這樣大部分移動電荷載流子會被耗盡。然後，通過施加偏壓來調製內部電場，例如PN結或肖特基二極體。這些缺陷通常是電活性缺陷，密度至少為108 cm-3，有時會更高。
DLTS技術能夠相當有效地識別半導體材料中存在的已知缺陷以及此前從未被發現的缺陷。例如，金污染矽檢測或n-型砷化鋁鎵中供體配合物的檢測，DLTS在其中發揮了重要作用，幫助解釋了這些材料所製成的器件性能不佳的原因。在2019年，一個研究團隊宣布他們的DLTS結果可以解釋矽太陽能電池中的光致衰退效應的原因，這個問題曾困擾整個行業長達四十年。