DMOS，即雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，是一種特殊的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）結構，主要用於高電流和高電壓的套用場合。DMOS器件可以分為垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（VDMOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（LDMOSFET）兩種類型。DMOS的工作原理與普通MOSFET相似，但在設計上進行了最佳化，以承受更高的電壓和電流。
垂直DMOS（VDMOSFET）：
垂直DMOS的結構特點是源極和漏極位於晶片的相對面，電流在晶片內部垂直流動。
由於其垂直結構，垂直DMOS具有高電流驅動能力和低導通電阻的特點。
橫向DMOS（LDMOSFET）：
橫向DMOS的源極和漏極位於晶片的同一面上，電流在晶片內部橫向流動。
LDMOS由多個單元組成，每個單元都具有源、漏、柵電極，這些單元的數目取決於晶片所需的驅動能力。
LDMOS的一個重要參數是導通電阻（Rds(on)），它表示從漏極到源極的電阻。減小導通電阻可以提高器件的開關特性和輸出電流，從而增強驅動能力。
工作原理概述：
當施加正柵源電壓時，柵極電壓的靜電吸引力會將電子從附近的矽拉到柵極下方的P型區域，形成N型通道，從而允許電流從源極流向漏極。
閾值電壓是電晶體導通時所需的最低柵源電壓。
DMOS器件由於P型加強區的存在，可以承受更高的電壓和電流，適用於功率放大器和開關電源等領域。
綜上所述，DMOS的工作原理基於MOSFET的基本操作，通過控制柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流流動。DMOS的特殊結構使其能夠承受更高的電壓和電流，從而滿足高功率套用的需求。