絕緣柵雙極電晶體
IGBT管，全稱為絕緣柵雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種結合了電力電晶體(GTR)和電力場效應電晶體(MOSFET)優點的功率半導體器件。以下是詳細介紹：
IGBT管具有高輸入阻抗和低導通壓降的特點。
IGBT管廣泛套用於軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。
IGBT管的結構特點是在MOSFET的漏極上追加一層，從而構成。
IGBT管是能源變換與傳輸的核心器件，有時也被稱為電力電子裝置的「CPU」。
以上是IGBT管的相關介紹，希望對你有所幫助。