IR降（IR Drop）是指在電子電路中，由於電流流過電阻而產生的電壓降的現象。
這種現象不僅出現在積體電路的電源和地網路中，導致電壓下降或升高，也可能出現在其他電路中，特別是在高電阻率的材料或結構中。例如，在積體電路設計中，隨著半導體工藝的進步，金屬互連線的寬度變窄，導致電阻值上升，從而在整個晶片範圍內產生IR壓降。IR壓降的大小取決於電流和電阻的值，這種壓降可能對電路的性能和功能產生重要影響，例如，在積體電路設計中，IR壓降可能導致時序問題或信號完整性問題，甚至可能導致邏輯門功能故障，使晶片徹底失效。
因此，IR壓降是電子電路設計中的一個重要考慮因素，需要通過適當的電路設計和布局來管理和減小。