銦鋅氧化物(IZO)是一種有前景的氧化物半導體材料，具有高遷移率和電阻率可控的特點。這種材料已被用於製備氧化物薄膜電晶體(TFT)，並因其電子遷移率高、開關比大、均勻性好、透光性佳、電學穩定性好等優點，在平板顯示及柔性積體電路等領域得到了廣泛套用。
IZO薄膜的製備通常涉及將硝酸銦和硝酸鋅溶解於乙二醇甲醚中，形成無色透明的IZO溶膠。然後，通過旋塗法在清潔的玻璃上形成IZO薄膜，並通過退火處理來提高其性能。TFT器件的製備則包括在玻璃基板上形成ITO柵電極和SiO2柵絕緣層，然後旋塗IZO薄膜並定義溝道區域，最後進行退火處理。