MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）是一種常用的半導體器件，其工作原理基於場效應。MOS管由金屬柵極、氧化物絕緣層和半導體基底組成。當柵極施加電壓時，會在氧化物層和半導體基底之間形成一個電場，這個電場會影響半導體中的載流子濃度，從而控制電路的電流。
MOS管的工作原理可以分為三個階段：截止區、線性區和飽和區。在截止區，柵極電壓較低，無法形成足夠的電場，半導體中的載流子濃度很低，電路中的電流非常小。線上性區，柵極電壓逐漸增加，電場強度也隨之增加，半導體中的載流子濃度開始增加，電路中的電流也隨之增加。在飽和區，柵極電壓達到一定值，電場強度已經飽和，半導體中的載流子濃度不會再增加，電路中的電流也不會再增加。
MOS管具有絕緣柵極，其電導率由施加的電壓決定，使其成為FET（場效應電晶體）的一種。MOS管可以用於放大或切換電子信號，因其較小的體積和較低的能耗，在數字電路中非常常見，如微處理器和記憶體晶片。
MOS管有兩種基本類型：N溝道和P溝道，其中N溝道MOS管在增強模式下工作，而P溝道MOS管在耗盡模式下工作。這兩種類型的MOS管在構造和功能上有所不同，但都基於相同的場效應原理。