MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）故障的原因主要包括：
雪崩失效（電壓失效）。當漏源間的電壓超過MOSFET的額定電壓，並且超過一定能力時，會導致MOSFET失效。
SOA失效（電流失效）。超出MOSFET安全工作區引起失效，包括額定電流和脈衝電流超出規格，或因過大損耗和長時間熱積累導致的失效。
體二極體失效。在橋式、LLC等使用體二極體續流的拓撲結構中，體二極體的破壞會導致MOSFET失效。
諧振失效。在並聯使用時，柵極及電路寄生參數導致的震盪引起的失效。
靜電失效。秋冬季節人體及設備靜電導致的器件失效。
柵極電壓失效。柵極遭受異常電壓尖峰導致的柵極柵氧層失效。
預防MOSFET故障的方法包括：
在電路中添加過壓保護電路、穩壓器或瞬態電壓抑制器。合理設計電源系統，設定適當的過流保護電路，如電流限制器、保險絲或過流保護晶片。在乾燥環境中操作時，穿著防靜電服。改善散熱條件，降低器件的工作溫度。選用恢復時間較短的MOS管並最佳化設計電路。