PMOS（P溝道金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）的工作原理主要基於電場效應和載流子遷移率。PMOS通常基於N型矽襯底，其中多數載流子是電子，少數載流子是空穴。在PMOS的源極和漏極之間，存在一個P型摻雜的區域，這使得在PMOS的柵極（G）上施加負電壓時，柵極下的N型矽表面會形成P型反型層，從而形成一個連線源極（S）和漏極（D）的導電溝道。
當PMOS的柵極相對於源極施加負電壓時，會在襯底中感應出正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層。這些正電荷的數量等於柵極上的負電荷數量。當達到強反型狀態時，源端的正電荷空穴在漏源電壓的作用下通過導通的P型溝道到達漏端，形成源漏電流。柵極電壓的負性越大（絕對值越大），溝道的導通電阻越小，因此通過的電流越大。
PMOS的工作原理與NMOS相類似，但它們在電子遷移率和閾值電壓方面有所不同。PMOS的電子遷移率通常高於空穴遷移率，因此其跨導（即單位電壓變化下通過的電流）通常小於NMOS。此外，PMOS的閾值電壓通常較高，這意味著它們在較低的工作電壓下不易導通。由於這些特性，PMOS通常用作高端驅動器件，即源極接電源正極的情況。
總結來說，PMOS的工作原理是通過在柵極上施加負電壓來控制N型矽襯底下的P型反型層，形成溝道，從而控制電流的導通與截止。