RTP(Rapid Thermal Processing)快速熱處理是一種在非常短的時間內將整個矽片加熱至400~1300℃溫度範圍內的方法。RTP快速退火爐是一種用於半導體器件製造和材料研究的設備，其工作原理是通過快速升溫和降溫來處理材料，以改變其性質或結構。以下是RTP快速退火爐的基本工作原理及在半導體行業的套用：
快速升溫。RTP爐的關鍵特點之一是能夠快速升溫。RTP退火爐通過使用高功率的加熱元件，如高功率閃光燈、電阻加熱器和鹵素燈管，迅速加熱半導體樣品，通常在幾秒鐘到幾分鐘之間。
保持溫度。一旦樣品達到目標溫度，根據設定的參數，RTP退火爐會維持這個溫度設定的時間，從而保證樣品所需的處理反應可以充分進行。
冷卻階段。在保溫時間結束後，RTP退火爐會迅速降低溫度，避免材料受到額外的熱處理或損害。
氣體控制。RTP退火爐一般設定了氣體控制功能，可以在處理過程中引入特定氣體，如氫氣、氮氣或氧氣，以調控腔體內的氣體成分，從而影響半導體材料的性質。
RTP快速退火爐在半導體晶圓行業有廣泛的套用，主要用於改善晶圓上的半導體器件性能、結構和特性。例如，在加熱階段，高溫有助於晶體結構的再排列，這可以消除晶格缺陷，提高晶體的有序性，從而改善半導體材料的電子傳導性能。在快速退火爐中，通常採用氫氣或氮氣作為氣氛保護，以防止半導體材料表面氧化和污染。