什麼是直接帶隙半導體

直接帶隙半導體是一種特殊的半導體材料，其特點是導帶的最小值（導帶底）和價帶的最大值（價帶頂）在晶格波矢空間（k空間）中處於同一位置。

這種材料在電子躍遷到導帶時，能量保持不變，同時動量也基本保持不變。直接帶隙半導體的能帶結構特點使其具有較高的光吸收和發射效率、較短的載流子壽命和較高的載流子遷移率，這些特性使得直接帶隙半導體在半導體光電子學、激光器、太陽能電池和光電探測器等領域有廣泛的應用。常見的直接帶隙半導體材料包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和鍺化銦（InSb）等。