電子遷移率（electron mobility）是表徵半導體材料中電子在電場作用下移動快慢程度的物理量。
電子遷移率是載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。電子遷移率的大小與多種因素有關，包括電子與晶格之間的相互作用、離子雜質、晶體缺陷以及溫度等。例如，具有較完美晶格的材料，如單晶體，其晶格的週期性和無缺陷的結構可以減少電子與晶格之間的散射，從而提高電子的遷移率。相反，高濃度的雜質會顯著降低電子的遷移率。晶體缺陷也會擾亂電子的運動軌跡，增加電子與晶格的相互作用，從而降低電子的遷移率。溫度的升高也會增加晶格振動，導致電子與阻礙其運動的晶格缺陷更頻繁地相互作用，從而降低電子的遷移率。