什麼是sic襯底

碳化矽襯底

Sic襯底，即碳化矽襯底(Silicon Carbide Substrate)，是一種用於製造半導體器件的基材。

Sic襯底是由碳和矽兩種元素組成的化合物半導體單晶材料，具有寬禁帶、高耐壓、耐高溫、高頻和低損耗等特點。這種材料是製造大功率電力電子器件和微波射頻器件的基礎性材料。Sic襯底在技術和工藝上較為成熟，製備成本逐漸下降，因此在新能源等領域的套用正在不斷增加。