光刻是一 種微 細加工技 術， 用於 將 電路 圖形或其他 設 計 轉移到半 導 體晶片（如 矽片）上。 這一 過程涉及多 個步 驟， 包括 塗覆光刻 膠、曝光、 顯影、烘烤等，具 體 內容如下：
塗覆光刻 膠。在晶 圓表面 塗上一 層光刻 膠， 這 層 膠在曝光 過程中 會被特定波 長的光（通常是紫外 線）照射， 從而被光敏化。
曝光。使用掩模版作 為模板， 將光刻 膠上未被掩模版遮 蓋的 區域暴露 於光 線下。
顯影。使用 顯影液去除被光照射 過的光刻 膠 區域， 這 樣，掩模版的 圖形就被 複製到了光刻 膠上。
烘烤。 顯 影后，通常需要 對光刻 膠 進行烘烤，以去除 殘留的溶 劑 並增 強光刻 膠 與 後 續 處理步 驟（如刻 蝕）的相互作用。
此外，光刻技 術根 據曝光方式的不同，可以分 為接 觸式曝光和非接 觸式曝光。接 觸式曝光涉及掩模版 與晶片表面 緊密接 觸，而非接 觸式曝光 則使用光 學系 統 將掩模版的 圖案成像在感光 層上， 兩者各有 優缺 點。 隨 著技 術的 發展，光刻技 術已 經能 夠 處理越 來越小的 特徵尺寸， 從而支持 複雜 積體電路的 設 計和 製造。