全控型器件主要有：門極可關斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場效應晶體管（Power MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
全控型器件是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件，也被稱爲自關斷器件。其中，門極可關斷晶閘管（GTO）是晶閘管的一種派生器件，可以通過在門極施加負的脈衝電流使其關斷；電力晶體管（GTR）是一種耐高壓、大電流的雙極型晶體管；電力場效應晶體管（Power MOSFET）是一種單極型的電壓控制全控型器件；絕緣柵雙極晶體管（IGBT）則是結合了GTR和MOSFET的優點，具有低導通壓降和高輸入阻抗的特性。
此外，還有一些新型的全控型器件，如集成門極換流晶閘管（IGCT）、MOS控制晶閘管（MCT）、電子注入增強柵晶體管（IEGT）等，它們正朝着複合化、模塊化及功率集成的方向發展。